সেমিকন্ডাক্টর লেজারগুলি 1962 সালে আবিষ্কৃত হয়েছিল এবং 1970 সালে ডবল হেটারোস্ট্রাকচারের সাথে অবিচ্ছিন্ন-তরঙ্গ অপারেশন অর্জন করেছিল, অপটিক্যাল যোগাযোগের মূল আলোর উত্স হয়ে ওঠে। InGaAsP/InP সিস্টেম 1300/1550 nm লো-লস কমিউনিকেশন ব্যান্ডকে সমর্থন করে এবং MOCVD হয়ে উঠেছে মূলধারার তৈরি প্রযুক্তি।
একটি সেমিকন্ডাক্টর লেজারএকটি লাভ মাধ্যম এবং একটি Fabry-Perot অনুরণক নিয়ে গঠিত। পপুলেশন ইনভার্সন ক্যারিয়ার ইনজেকশন দ্বারা উপলব্ধি করা হয়, এবং লেজার উদ্দীপিত নির্গমন দ্বারা উত্পন্ন হয়। অনুদৈর্ঘ্য মোড ব্যবধান গহ্বর দৈর্ঘ্য দ্বারা নির্ধারিত হয়, এবং মোড লকিং একাধিক অনুদৈর্ঘ্য মোডের ফেজ সিঙ্ক্রোনাইজেশন প্রয়োজন
একটি বিস্তৃত এলাকা লেজারের পরিকল্পিত
InGaAsP/InP উপাদান সিস্টেম ব্যবহার করে বেশ কিছু লেজার ডিজাইন।
যোগাযোগ ব্যান্ডের জন্য InGaAsP/InP উপাদান সিস্টেম গৃহীত হয়, 1300-1600 nm কভার করে। MOCVD এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি উচ্চ-নির্ভুল জালির মিল অর্জন করে, যা বাণিজ্যিক লেজারগুলির জন্য মূল বানোয়াট স্কিম।
থ্রেশহোল্ড স্রোত তাপমাত্রার সাথে দ্রুতগতিতে বৃদ্ধি পায় এবং বৈশিষ্ট্যগত তাপমাত্রা T₀ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা প্রতিফলিত করে। উচ্চ-গতির মড্যুলেশন কম ক্যাপাসিট্যান্স এবং শক্তিশালী সূচক-নির্দেশিত কাঠামোর উপর নির্ভর করে।
সেমিকন্ডাক্টর লেজারগুলি ছোট আকার এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, অপটিক্যাল যোগাযোগ, পাম্প উত্স, মুদ্রণ এবং সংবেদন, অতি দ্রুত মোড-লক সিস্টেমগুলির ক্ষুদ্রকরণ এবং সংহতকরণের জন্য মূল আলোর উত্স হিসাবে কাজ করে।
